Logo BSU

Просмотр Авторы Пилипенко, В. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 14 из 14
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2011ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ НА СТРУКТУРУ TiSi2 И ПРОВОДИМОСТЬ ШИН МЕТАЛЛИЗАЦИИ НА ЕГО ОСНОВЕПилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Шведов, С. В.
мая-2011Влияние вертикального масштабирования на статические и динамические параметры биполярных микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В.
мая-2007Влияние лазерного геттерирования на структурные и электрические параметры эпитаксиальных слоев кремнияПилипенко, В. А.; Вечер, Д. В.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
янв-2008Влияние лазерного геттерорирования кремниевых пластин на свойства границы раздела Si – SIO2Пилипенко, В. А.; Вечер, Д. В.; Понарядов, В. А.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2016Государственный центр «Белмикроанализ» – центр коллективного пользования по проведению аналитических исследований при создании инновационных изделий микро- и наноэлектроникиПилипенко, В. А.
янв-2012Исследование топологии интегральных микросхем методом атомно-силовой микроскопииПилипенко, В. А.; Чижик, С. А.; Понарядов, В. В.; Петлицкая, Т. В.; Кузнецова, Т. А.
мая-2006Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработкеПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Вечер, Д. В.; Горушко, В. А.; Петлицкая, Т. В.
2017Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфораБеляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Любченко, О. И.; Саченко, А. В.; Сафрюк, Н. В.; Шинкаренко, В. В.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Ходин, А. А.; Романец, П. Н.; Кудрик, Я. Я.
янв-2009Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистораПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
мая-2010Особенности формирования базового диэлектрика при вертикальном масштабировании микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2015Оценка равномерности нагрева поверхности полупроводниковых пластин при быстрой термической обработкеГорушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Петлицкая, Т. В.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В.
2013Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТОПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В.
2017Стабилизация параметров границы раздела Si-SiO2 c помощью быстрой термической обработкиПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Горушко, В. А.; Филипеня, В. А.
2013СТРУКТУРНЫЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К n+-КРЕМНИЮБеляев, А. Е.; Пилипенко, В. А.; Анищик, В. М.