Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108132
Title: Особенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 К
Authors: Одринский, А. П.
Казючиц, Н. М.
Макаренко, Л. Ф.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: Исследовались электрически активные дефекты алмаза на базе фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Анализ релаксации фототока в НРНТ алмазе в области температур 420 – 540 К обнаружил два процесса, различающихся характеристическим временем спада. Изменение с температурой их вклада в релаксацию не поддается интерпретации как процессы термоэмиссии с независимых локальных уровней. Предполагается, что обнаруженные процессы определяют долговременную стабилизацию тока фотоионизации детекторов на основе НРНТ алмаза.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108132
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.138-141.pdf315 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.