Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/179714
Заглавие документа: Monoclinic bismuth vanadate band gap determination by photoelectrochemical spectroscopy
Авторы: Malashchonak, M. V.
Streltsov, E. A.
Kuliomin, D. A.
Kulak, A. I.
Mazanik, A. V.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: ноя-2017
Издатель: Elsevier B.V.
Библиографическое описание источника: Materials Chemistry and Physics. - 2017. - Vol. 201. - P. 189 - 193.
Аннотация: The optical band gap (Eg) of the monoclinic bismuth vanadate BiVO4 (scheelite) was determined by photoelectrochemical (photocurrent) spectroscopy. The relevance of this study is related to an existing ambiguity in Eg determination, which is due to possible distinction in preparation technique of this compound (and, hence, difference in grain size, crystallinity, film thickness, etc.), as well as realization of additional optical absorption mechanisms unrelated to excitation of electrons from the valence band to the conduction band. Using analysis of the Incident Photon-to-current Conversion Efficiency (IPCE), which minimizes a contribution of impurity-related and other kinds of absorption, it was demonstrated that BiVO4 scheelite is primarily indirect band gap semiconductor, where indirect optical transitions are characterized by the energy gap Egi = 2.44 eV, whereas for direct optical transitions energy gap is Egd = 2.63 eV.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/179714
ISSN: 0254-0584
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников физического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Monoclinic bismuth vanadate band gap determination by photoelectrochemical spectroscopy.pdf3,94 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.