Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28055
Заглавие документа: MODELING OF ION-IMPLANTED ATOMS DIFFUSION DURING THE EPITAXIAL GROWTH OF THE LAYER
Авторы: Velichko, O. I.
Burko, V. A.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2011
Библиографическое описание источника: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.
Аннотация: The equation of impurity diffusion due to formation, migration, and dissolution of the pairs “impurity atom ─ intrinsic point defect” taking into account the nonuniform distributions of nonequilibrium point defects and drift of the pairs in the field of elastic stresses is presented in the coordinate system associated with the moving surface of the growing epitaxial layer. The analytical solution of this equation for the low fluence ion implantation has been obtained.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/28055
Располагается в коллекциях:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Velichko-испр.doc215 kBMicrosoft WordОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.