Logo BSU

Browsing by Author Алешкин, В. Я.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 17 of 17
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2017Анализ мощностных характеристик лазеров с вытекающей модой с широкозонными блокирующими слоями в активной областиАфоненко, A. A.; Ушаков, Д. В.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М.; Байдусь, Н. В.; Дикарева, Н. В.
2013Влияние нагрева активной области на мощность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInPУшаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Алешкин, В. Я.
2008Генерация излучения среднего ик диапазона на разностной частоте в двухчастотных лазерах на основе гетероструктур GaAs/InGaAs/GaAsPАлешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А.
2002Генерация плазмонных мод на разностной частоте в многочастотных полупроводниковых лазерахАфоненко, А. А.; Алешкин, В. Я.; Звонков, Б. Н.
2000Генерация разностной гармоники в двухчастотном полупроводниковом лазереАлешкин, В. Я.; Афоненко, А. А.; Звонков, Н. Б.
2004Генерация разностной моды в полупроводниковом волноводе с металлической решеткойАлешкин, В. Я.; Афоненко, А. А.
2006Динамика генерации излучения в лазерах с асимметричной гетероструктурой в системе GAAS/INGAAS/INGAPАфоненко, А. А.; Стецик, В. М.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.
2017Динамика диаграммы направленности полупроводниковых лазеров с вытекающей модойСтецик, В. М.; Домащук, C. B.; Афоненко, A. A.; Ушаков, Д. В.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Дикарева, Н. В.; Некоркин, С. М.; Звонков, Б. Н.
2002Исследование фотолюминесценции и поглощения света в квантовых точках INAS/GAAS и в ступенчатых квантовых ямах INGAAS/ALGAASАлешкин, В. Я.; Гапонова, Д. М.; Fossard, F.; Julien, F.
2021Моделирование квантово-каскадных детекторов ИК диапазона на основе CdHgTeУшаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Хабибуллин, Р. А.; Дубинов, А. А.; Морозов, С. В.; Фадеев, М. А.; Уточкин, В. В.; Алешкин, В. Я.; Михайлов, Н. Н.
2022Моделирование лазерных диодов с длиной волны генерации 3 мкм на основе HgTe/CdHgTe гетеростуктур с множественными квантовыми ямами с учетом эффекта горячих фононовАфоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Дубинов, А. А.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И.
2020Моделирование температурной зависимости усиления квантово-каскадных лазеров на основе HgCdTe с 2 КЯ на частоте 8.3 ТГцУшаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Хабибуллин, Р. А.; Пономарев, Д. С.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И.; Дубинов, А. А.
2023Некаскадный межподзонный инжекционный лазер среднего ИК-диапазона на основе HgCdTeАфоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Дубинов, А. А.; Алешкин, В. Я.; Морозов, С. В.; Гавриленко, В. И.
2002О возможных коэффициентах усиления излучательных переходах в центрах e R ^ кремнииАлешкин, В. Я.; Андреев, Б. А.
2006Параметрическая генерация разностной частоты в лазерах и волноводах на основе полупроводников А3В5Гавриленко, В. И.; Алешкин, В. Я.; Дубинов, А. А.; Маремьянин, К. В.
2002Расчет зонных диаграмм инжекционных лазеров с учетом процессов захвата носителей заряда в квантовые ямыАфоненко, А. А.; Алешкин, В. Я.
2013Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ямУшаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Алешкин, В. Я.