Showing results 1 to 20 of 56
next >
| Preview | Issue Date | Title | Author(s) |
| 2024 | Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинонноволачных фоторезистов, облученных электронами | Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, С. Д.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б. |
| 2010 | Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном бором | Макаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И. |
| 2022 | Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов | Оджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2003 | Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условиях | Богатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И. |
| 2022 | Влияние гамма-квантов на темновой ток кремниевых фотоумножителей с оптической изоляцией ячеек | Огородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.; Кетько, А. В.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Влияние гамма-квантов на характеристики SiФЭУ с оптически изолированными ячейками p+-n-n+-типа | Огородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ | Богатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И. |
| Nov-2023 | Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума | Буслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Ластовский, С. Б.; Нерода, И. Ю.; Федосюк, Д. Н.; Черный, В. В.; Янковский, Ю. Н. |
| 2007 | Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В. |
| 2001 | Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структур | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Ануфриев, Л. П.; Рубцевич, И. И.; Голубев, Н. Ф. |
| 10-May-2023 | Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов | Ковальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ | Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е. |
| 2018 | Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа | Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А. |
| 2019 | Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазов | Азарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А. |
| 2019 | Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазов | Азарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А. |
| 2022 | Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицами | Жданович, Д. Н.; Жданович, Н. Е.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Медведева, И. Ф.; Огородников, Д. А.; Фадеева, Е. А. |
| 1999 | Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К | Ластовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т. |
| 2016 | Влияние электронного облучения на характеристики кремниевых биполярных транзисторов | Молчанов, Д. В.; Ластовский, С. Б. |
| 2008 | Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2010 | Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 к | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П. |
