Logo BSU

Browsing by Author Мурин, Л. И.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 28  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2001DLTS спектроскопия комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнииКомаров, Б. А.; Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Гусаков, В. Е.; Кучинский, П. В.; Lindstrom, J. L.
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2008Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнииМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.
2021Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия – кислородТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2020Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуреТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2003Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2018Инженерия кислородосодержащих центров в кремнии: радиационно-индуцированные трансформации вакансионно-кислородных комплексов VO2, V2O2 и V3O2Мурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, С. Б.; Ластовский, В. П.
2014Калибровочный коэффициент для определения концентрации А-центров в Si методом ИК поглощенияМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Лукша, С. В.
2010Колебательные моды комплексов дивакансия-кислород и тривакансия-кислород в кремнииТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2001Колебательные моды комплексов кислород-вакансия в германииЛитвинов, В. В.; Мурин, Л. И.; Линдстром, Дж. Л.; Маркевич, В. П.; Петух, А. Н.
2016Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнииТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2014Локальные колебательные моды комплексов собственных междоузельных атомов с углеродом и кислородом в кремнииМурин, Л. И.
2008Механизмы формирования и термическая стабильность вакансионно-кислородных нанокластеров в облученных кристаллах SiМурин, Л. И.
2007Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медьМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.