Logo BSU

Browsing by Author Стрельцов, Е. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 49  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2018BiOBr фотоэлектроды с различной скоростью переноса электронов и дырок в раствор: эффект укладки пластинчатых кристаллитов и природы редокс-системыКозыревич, М. Е.; Малащенок, Н. В.; Стрельцов, Е. А.
2018BiOBr фотоэлектроды с различной скоростью переноса электронов и дырок в раствор: эффект укладки пластинчатых кристаллитов и природы редокс-системыКозыревич, М. Е.; Малащенок, Н. В.; Стрельцов, Е. А.
2015Анодное окисление хлорид-анионов на платине в концентрированных водных растворах хлоридов s-металловАвчинникова, Т. А.; Рабчинский, С. М.; Чулкин, П. В.; Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.
2012Влияние хлорида магния на анодное выделение хлора на платине в хлоридно-калиевом электролитеСтрельцов, Е. А.; Кулак, А. И.; Рабчинский, С. М.; Авчинникова, Т. А.; Позняк, С. К.
2013Дизайн чувствительных к видимому свету фотовольтаических ячеек на основе квантовых точек халькогенидов металлов, широкозонных оксидных полупроводников и производных графена : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Стрельцов, Е. А.Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2010Исследование процессов электрохимичекой атомной сборки наноразмерных полупроводниковых халькогенидов металлов : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Стрельцов, Е. А.Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.; Иванов, Д. К.; Рабчинский, С. М.; Иванова, Ю. А.
2013Исследование электромагнитных процессов в наноструктурах и композитных материалах с целью создания на их основе новых элементов для опто- и радиоэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. СтрельцовСтрельцов, Е. А.; Рабчинский, С. М.; Позняк, С. К.; Малащенок, Н. В.
2010Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического p-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессовРабчинский, С. М.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2010Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического р-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессовРабчинский, С. М.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2012Многофакторная потенциодинамическая электрохимическая характеризация полупроводниковых наногетероструктур TiO2/PbS, ZnO/PbS и ZnO/CdSРагойша, Г. А.; Чулкин, П. В.; Рабчинский, С. М.; Стрельцов, Е. А.; Строюк, А. Л.; Кучмий, С. Я.
2008Неорганическая химия: учеб.-метод. пособие для студентов химического факультета / Е. А. Стрельцов, Е. И. Василевская.Стрельцов, Е. А.; Василевская, Е. И.
2015Новые методы улучшения параметров светоизлучающих и фоточувствительных полупроводниковых наноструктур (планарные нанокристаллы, наночастицы и плазмонные структуры): в рамках задания 2.2.19 «Разработка новых методов улучшения параметров светоизлучающих и фоточувствительных полупроводниковых наноструктур, в том числе планарных нанокристаллов, наночастиц и плазмонных структур» ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Е. А. СтрельцовСтрельцов, Е. А.; Тиванов, М. С.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.; Малащенок, Н. В.; Бондаренко, Е. А.; Москалев, А. И.
2011Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из спектров электродного фотопотенциалаКулак, А. И.; Стрельцов, Е. А.; Рабчинский, С. М.
2011Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из спектров электродного фотопотенциалаКулак, А. И.; Стрельцов, Е. А.; Рабчинский, С. М.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.