Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107962
Title: Влияние водородной обработки на структурные свойства пленок Si / SiGe, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении
Authors: Новиков, А. Г.
Зайков, В. А.
Прокопьев, С. Л.
Наливайко, О. Ю.
Гайдук, П. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В настоящей работе изучалось формирование многослойных структур на основе поликристаллических SiGe и Ge пленок, осажденных при пониженном давлении на кремниевых подложках. Обсуждаются также результаты по поглощению указанных слоев в видимом и ИК диапазоне. В качестве подложек использовались легированные бором 100 мм кремниевые пластины КДБ-20 ориентации (100). РОР и СЭМ исследования позволили изучить структурные свойства и морфологические изменения в структурах на основе Ge. Установлено, что обработка в водороде приводит к увеличению подвижности и диффузии атомов германия. Этот эффект может быть использован для уменьшения шероховатости поверхности структур. Показано, что максимальное поглощение наблюдается в пленках Ge или SiGe толщиной 1,0 мкм или выше.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107962
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.76-78.pdf404,61 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.