Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108007| Title: | Формирование пористого кремния в импульсном гальваностатическом режиме |
| Authors: | Чубенко, Е. Б. Редько, С. В. Шерстнёв, А. И. Петрович, В. А. Бондаренко, В. П. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | В работе осуществлен поиск способов получения упорядоченных матриц пористого кремния с регулярной структурой пор, предназначенных для получения массивов низкоразмерных структур с высоким аспектным соотношением и нанокомпозитов. Проведенные исследования процессов анодирования монокристаллического кремния в импульсном гальваностатическом режиме позволили установить, что при плотностях анодного тока 100 – 120 мА/см2 происходит формирование слоев пористого кремния с выраженной вертикальной структурой пор с небольшой дисперсией значений величины среднего диаметра, имеющих гладкие стенки с менее развитой морфологией поверхности, чем у аналогичных структур, сформированных в обычных гальваностатических режимах. Полученные данные могут быть использованы для разработки технологии формирования нанокомпозитных материалов и массивов наноструктур на основе пористого кремния. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108007 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.102-105.pdf | 1,92 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.