Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120027
Title: МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДВУХ ТИПОВ ИОНОВ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СОЕДИНЕНИЙ A3B5 В КРЕМНИИ
Authors: Комаров, А. Ф.
Михайлов, В. В.
Мискевич, С. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2015
Abstract: Разработана физико-математическая модель и программное обеспечение для моделирования процесса высокодозной имплантации мышьяка и индия в кремний, учитывающая радиационно-стимулированную диффузию примеси, распыление и распухание мишени, а также образование новой фазы. Экспериментально установлено формирование нанокластеров кристаллического InAs со средним диаметром 7 нм и плотностью их распределения 2,87x1011 см-2 в процессе имплантации As (170 кэВ, 3,2x1016 см-2) и In (250 кэВ, 2,8x1016 см-2) при Т = 500 С в Si.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/120027
Appears in Collections:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Комаров.pdf734,65 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.