Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/163695
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛагунович, Н. Л.-
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.-
dc.contributor.authorБорздов, В. М.-
dc.date.accessioned2016-12-22T17:26:52Z-
dc.date.available2016-12-22T17:26:52Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 71–73.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-403-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/163695-
dc.description.abstractВ данной работе приведены результаты разработки нового технологического маршрута изготовления биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ), который отличается от уже известных тем, что при формировании охранного кольца и металлических контактов используется один и тот же фотошаблон, что позволило сократить количество используемых фотошаблонов, но получить прибор с требуемыми электрическими характеристиками.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРазработка нового способа изготовления транзистора со статической индукциейru
dc.typeconference paperru
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.71-73_Лагунович.pdf415,43 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.