Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164185
Title: Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействиях
Authors: Просолович, В. С.
Бринкевич, Д. И.
Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2016
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 153–155.
Abstract: Методами атомно-силовой микроскопии, склерометрии и индентирования исследованы пленки позитивного фоторезиста ФП9120, облученные γ-квантами 60Co и имплантированные ионами В+ и Р+. Показано, что в процессе имплантации происходит модификация морфологии поверхности фоторезиста, обусловленная релаксацией упругих напряжений, и радиационно-химическими процессами в слое фоторезиста. Процессы радиационного упрочнения при ионной имплантации структур фоторезист – Si протекают далеко за областью проецированного пробега ионов. Полученные экспериментальные результаты объяснены процессами радиационного сшивания молекул полимера за областью пробега ионов, усадкой полимерной пленки и ее карбонизацией в области пробега ионов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/164185
ISBN: 978-985-553-403-8
Sponsorship: Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
С.153-155_Просолович.pdf455,23 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.