Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/164185| Title: | Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействиях |
| Authors: | Просолович, В. С. Бринкевич, Д. И. Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Янковский, Ю. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 153–155. |
| Abstract: | Методами атомно-силовой микроскопии, склерометрии и индентирования исследованы пленки позитивного фоторезиста ФП9120, облученные γ-квантами 60Co и имплантированные ионами В+ и Р+. Показано, что в процессе имплантации происходит модификация морфологии поверхности фоторезиста, обусловленная релаксацией упругих напряжений, и радиационно-химическими процессами в слое фоторезиста. Процессы радиационного упрочнения при ионной имплантации структур фоторезист – Si протекают далеко за областью проецированного пробега ионов. Полученные экспериментальные результаты объяснены процессами радиационного сшивания молекул полимера за областью пробега ионов, усадкой полимерной пленки и ее карбонизацией в области пробега ионов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/164185 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Sponsorship: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Appears in Collections: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| С.153-155_Просолович.pdf | 455,23 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.