Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/184528
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГорбачук, Николай Иванович-
dc.contributor.authorАзарко, Игорь Иосифович-
dc.date.accessioned2017-11-02T14:46:48Z-
dc.date.available2017-11-02T14:46:48Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/184528-
dc.description.abstractВ курсе рассматриваются процессы диффузии и дрейфа неравновесных носителей зарядов, их межзонной, поверхностной рекомбинации, рекомбинации с участием дефектов кристаллической решетки. Излагаются физические основы фотоэлектрических процессов, анализируется роль генерационно-рекомбинационных процессов в функционировании приборов полупроводниковой электроники. Представлены базовые подходы к анализу спектральных зависимостей, люксамперных и переходных характеристик фототока в полупроводниках. Особое внимание уделено физическим процессам, протекающим в базовых элементах полупроводниковых приборов, механизмам прохождения тока в барьерных структурах, конструкции и принципу действия различных полупроводниковых приборов. Рассматриваются также основные технологические этапы производства полупроводниковых приборов.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФизика полупроводниковых приборов: неравновесные процессы. № УД-2417/уч.ru
dc.typesyllabusru
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.