Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206646| Title: | Двойная ионная имплантация сурьмы и фосфора как метод создания тонких n+-слоев в кремнии |
| Other Titles: | Double ion implantation of Sb+ and P+ as a method for creating of the thin n+-layers in Si / V.S.Solov'yev, O.V.Milchanin |
| Authors: | Соловьев, В. С. Мильчанин, О. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1999 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 201-203. |
| Abstract: | Представлен метод получения бездефектных тонких n* слоев и мелкозалегающих (-210 нм) n*/р переходов в Si. Метод включает в себя двойную имплантацию Sb* и Р* (60 и 20 кэВ соответственно) с последующей стационарной термообработкой (до 850°С). Выбранные условия имплантации (доза, энергия) предполагают компенсацию напряжений несоответствия (КНН). Наблюдается значительно меньшее перераспределение фосфора и высокая степень активации легирующей примеси. Предполагается, что в условиях KHH участие собственных междоузельных атомов Si в процессах образования дислокационных петель и перераспределения примесей подавляется. |
| Abstract (in another language): | A method for creating of thin defect-free n*-layers and shallow n*/p junctions (~210 nm) in Si is presented. This technique includes double implantation of Sb* and P* (60 and 20 keV respectively) with the following stationary furnace annealing (up to 850"C). The implantation conditions (dose, energy) bring to compensation of misfit stress. The substantially smaller redistribution of phosphorus and high activation of dopand is established. We propose that in stress-relaxed conditions the influence selfinterstitial Si atoms upon dopand redistribution and dislocation loops formation is suppressed. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206646 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 201-203.pdf | 2,93 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.