Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206850
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.date.accessioned2018-10-10T06:52:29Z-
dc.date.available2018-10-10T06:52:29Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 102-104.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206850-
dc.description.abstractМетодами измерения спектров электронного парамагнитного резонанса, ИК поглощения в сочетании с последовательным удалением слоев и обратного резерфордовского рассеяния исследовались процессы радиационного дефектообразования при имплантации ионами Yb монокристаллов кремния. Показано, что дополнительное внедрение ионов РЗЭ позволяет существенно снизить содержание в имплантированном материале радиационных дефектов, таких как парамагнитные центры аморфной фазы. Данный эффект наиболее выражен на образцах, предварительно облученных ионами бора или сурьмы. При обратной схеме имплантации существенных различий замечено не было. Наблюдаемые явления обусловлены трансформацией оборванных связей атомов кремния и легирующих примесей (В, Р) полями упругих напряжений, создаваемыми РЗЭ.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleДефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиru
dc.title.alternativeRadiation defect formation at joint implantation of silicon by lanthanoid and doping impurities / D.l. Brinkevich, V.B.Odzhaev, V.S. Prosolovich, Yu.N. Yankovskiru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeDefects in Yb* ions implanted silicon were studied by IR absorption measurements, electron paramagnetic resonance and Rutherford back scattering methods. It is shown that additional Yb* ions implantation decrease W-center concentration in previously doping impurities implanted silicon. Those effects are due to the cloven Si and doping impurities atoms bounds transformation by the deformation stress caused by rare-earth elements.ru
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
102-104.pdf3,27 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.