Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/211576
Title: Разработка и исследование методов численного анализа, параллельных алгоритмов, разномасштабных алгоритмов моделирования для решения задач математической физики и прикладных задач микроэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. И. Белько
Authors: Белько, В. И.
Макаренко, Л. Ф.
Урбанович, А. И.
Дугинов, О. И.
Левчук, Е. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2015
Publisher: Минск : БГУ
Abstract: Объектом исследований являются кластеры точечных дефектов в кремнии и германии, а также нанокластеры дефектов с участием легирующих атомов, которые образуются в пересыщенных растворах собственных точечных дефектов и атомов примесей. Цель работы – разработка программного комплекса для моделирования процессов формирования наноструктурных элементов электроники, основанного на использовании методов молекулярной динамики, квантовой химии и кинетического метода Монте-Карло, адаптированного к высокопроизводительным вычислительным платформам. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: параметризация эмпирического функционала заданного типа; разработка и реализация параллельной версии алгоритма молекулярной динамики; выбор и реализация алгоритма кинетического метода Монте-Карло; разработка, реализация и тестирование разномасштабного алгоритма, объединяющего кинетический метод Монте-Карло и метод молекулярной динамики. В результате выполнения задач НИР был разработан программный комплекс, интегрирующий в себе расчеты методом кинетического Монте-Карло и молекулярной динамики в одном цикле моделирования, для многоуровневого описания зарождения и роста ансамблей нанокластеров собственных дефектов. Программный комплекс был использован для прогнозирования остаточного уровня и параметров радиационных повреждений в кремнии и кремний-германиевых сплавах в условиях, представляющих интерес для практических приложений.полнено многоуровневое моделирование самонагревания полностью обедненных КНИ МОП транзисторов с использованием метода классической молекулярной динамики в сочетании с расчетами теплового поля на основе численного решения уравнения теплопроводности. Поскольку термические свойства тонких кремниевых слоев (толщиной несколько нанометров) существенно отличаются от названных свойств сплошного кремния, для описания теплопереноса в канале МОП транзисторов, содержащих ультатонкие кремниевые слои, применялся метод молекулярной динамики. Было показано, что локальное увеличение температуры в транзисторах данного типа может превышать 200 К, если средняя температура в прилежащей области составляет 500 К.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/211576
Registration number: № гос. регистрации 20120331
Appears in Collections:Отчеты 2015

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
отчет Белько 20120331.doc2,85 MBMicrosoft WordView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.