Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/211576
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБелько, В. И.-
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.-
dc.contributor.authorУрбанович, А. И.-
dc.contributor.authorДугинов, О. И.-
dc.contributor.authorЛевчук, Е. А.-
dc.date.accessioned2018-12-22T07:09:40Z-
dc.date.available2018-12-22T07:09:40Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.other№ гос. регистрации 20120331ru
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/211576-
dc.description.abstractОбъектом исследований являются кластеры точечных дефектов в кремнии и германии, а также нанокластеры дефектов с участием легирующих атомов, которые образуются в пересыщенных растворах собственных точечных дефектов и атомов примесей. Цель работы – разработка программного комплекса для моделирования процессов формирования наноструктурных элементов электроники, основанного на использовании методов молекулярной динамики, квантовой химии и кинетического метода Монте-Карло, адаптированного к высокопроизводительным вычислительным платформам. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: параметризация эмпирического функционала заданного типа; разработка и реализация параллельной версии алгоритма молекулярной динамики; выбор и реализация алгоритма кинетического метода Монте-Карло; разработка, реализация и тестирование разномасштабного алгоритма, объединяющего кинетический метод Монте-Карло и метод молекулярной динамики. В результате выполнения задач НИР был разработан программный комплекс, интегрирующий в себе расчеты методом кинетического Монте-Карло и молекулярной динамики в одном цикле моделирования, для многоуровневого описания зарождения и роста ансамблей нанокластеров собственных дефектов. Программный комплекс был использован для прогнозирования остаточного уровня и параметров радиационных повреждений в кремнии и кремний-германиевых сплавах в условиях, представляющих интерес для практических приложений.полнено многоуровневое моделирование самонагревания полностью обедненных КНИ МОП транзисторов с использованием метода классической молекулярной динамики в сочетании с расчетами теплового поля на основе численного решения уравнения теплопроводности. Поскольку термические свойства тонких кремниевых слоев (толщиной несколько нанометров) существенно отличаются от названных свойств сплошного кремния, для описания теплопереноса в канале МОП транзисторов, содержащих ультатонкие кремниевые слои, применялся метод молекулярной динамики. Было показано, что локальное увеличение температуры в транзисторах данного типа может превышать 200 К, если средняя температура в прилежащей области составляет 500 К.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleРазработка и исследование методов численного анализа, параллельных алгоритмов, разномасштабных алгоритмов моделирования для решения задач математической физики и прикладных задач микроэлектроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. И. Белькоru
dc.typereportru
Appears in Collections:Отчеты 2015

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
отчет Белько 20120331.doc2,85 MBMicrosoft WordView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.