Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215220
Title: Комбинационное рассеяние света в алмазах, облученных высокоэнергетическими ионами ксенона
Other Titles: Raman scattering diamonds irradiated with high-energy xenon ions / N. M. Kazuchits, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, V. N. Kazuchits, V. A. Skuratov
Authors: Казючиц, Н. М.
Королик, О. В.
Русецкий, М. С.
Казючиц, В. Н.
Скуратов, В. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 158-163.
Abstract: Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы накопление и профили радиационных повреждений в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. Вследствие радиационного повреждения алмазной решетки линия КРС 1332 см -1 уменьшилась по интенсивности, ассиметрично уширилась и сместилась к меньшим частотам. С ростом флюенса облучения наблюдалось также уширение и низкочастотное смещение линии КРС от собственных дефектов в имплантированном слое. Установлена критическая концентрация вакансий для аморфизации алмаза при облучении ионами Хе с энергией 167 МэВ. Показано распределение напряжений за имплантированным слоем.
Abstract (in another language): Accumulation and radiation damage profiles in diamonds after 167 MeV xenon ions implantation were studied by Raman scattering method. Due to the radiation damage, the Raman line (1332 cm -1 ) decreased, asymmetrically broadened and shifted to smaller frequencies. Raman lines of intrinsic defects broaden and low-frequency shift with increase irradiation fluence. Critical vacancy concentration for diamond amorphization by 167 MeV xenon ions is established. The stresses propagating from the implanted layer to the depth were detected.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215220
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
158-163.pdf1,29 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.