Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/228457
Title: Синтез, структура и электрофизические свойства поликристаллических пленок висмута
Authors: Федотов, А. С.
Позняк, С. К.
Цыбульская, Л. С.
Свито, И. А.
Шепелевич, В. Г.
Мазаник, А. В.
Федотов, А. К.
Гаевская, Т. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия
Issue Date: 2015
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Свиридовские чтения : сб. ст. Вып. 11. — Минск : БГУ, 2015. — С. 158-166
Abstract: Изучены пленки висмута, полученные разными методами: электрохимическим осаждением, центробежным затвердеванием либо электрохимическим осаждением с последующим отжигом. С помощью рентгенодифракционного анализа и сканирующей электронной микроскопии исследована структура пленок, определены размеры зерен и текстура. Измерены удельное сопротивление, магнитосопротивление, коэффициент Зеебека, коэффициент Холла в диапазоне температур 4–300 К и магнитных полей до 8 Тл. Рассчитаны концентрации и подвижности носителей заряда. Различия в электрофизических свойствах исследованных пленок висмута объяснены разными механизмами рассеяния носителей заряда.
Abstract (in another language): Bismuth films fabricated by different methods such as electrochemical deposition, melt spinning and electrochemical deposition with further annealing, have been studied. Films structure, grain size and texture were investigated using XRD and SEM methods. Resistivity, magnetoresistance, Seebeck coefficient, Hall coefficient were measured in the temperature range from 4 to 300 K under magnetic field up to 8 T. Charge carriers concentration and mobilities were calculated. The difference in the electrophysical properties of the bismuth films studied was explained by different mechanisms of charge carrier scattering.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/228457
ISBN: 978-985-566-165-9
Appears in Collections:Выпуск 11

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
158-166.pdf444,59 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.