Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/232591
Title: Формирование контактов к эпитксиальным слоям карбида кремния
Authors: Козодоев, С. В.
Глинник, М. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2019
Publisher: Минск : БГУ
Citation: 76-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета [Электронный ресурс] : материалы конф. В 3 ч. Ч. 1, Минск, 13–24 мая 2019 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Г. Сафонов (пред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 173-176.
Abstract: В данной работе были получены и исследованы выпрямляющие структуры с барьером Шоттки на основе эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC). Установлено, что при отжиге улучшаются вольт-амперные характеристики (ВАХ) структур за счет образования силицида.
Description: Факультет радиофизики и компьютерных технологий
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/232591
ISBN: 978-985-566-808-5; 978-985-566-809-2 (ч. 1)
Appears in Collections:2019. Научная конференция студентов и аспирантов БГУ. В трех частях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
173-176.pdf583,75 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.