Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/233824
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorИвлев, Г. Д.
dc.contributor.authorЗайков, В. А.
dc.contributor.authorКлимович, И. М.
dc.contributor.authorЛюдчик, О. Р.
dc.date.accessioned2019-11-13T10:39:25Z-
dc.date.available2019-11-13T10:39:25Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 60-63.
dc.identifier.issn2663-9939
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/233824-
dc.descriptionСекция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids
dc.description.abstractТонкие пленки TiAlN (0.5 мкм), сформированные на подложках кремния методом магнетронного распыления составной мишени, облучались одиночными наносекундными (70 нс) импульсами рубинового лазера с целью изучения динамики отражательной способности R облучаемой зоны на длинах волн зондирующего излучения λ 1 = 0.53 и λ 2 = 1.06 мкм и морфологии облученных зон. Наблюдается возрастание R на λ 1 и одновременное уменьшение на λ 2 с усилением эффекта по мере повышения плотности энергии облучения W в интервале 0.6-0.9 Дж/см 2 , ограниченном сверху порогом лазерной абляции нитрида ~ 1 Дж/см 2 . Лазерно-индуцированные термические напряжения в модифицируемом слое TiAlN приводят к образованию в нем сетки трещин. При повышении W формируется более развитой сетчатая/ячеистая структуры пленки с меньшим средним размером ячеек.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleДинамика отражательной способности и модификация тонких пленок TiAlN/Si при импульсном лазерном нагреве
dc.title.alternativeReflectivity Dynamics and Modification of TiAlN/Si Thin Films Under Pulsed Laser Heating / G.D. Ivlev, V.A. Zaikov, I.M. Klimovich, O.R. Liudchik
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeTiAlN thin films (0.5 μm) on silicon substrates have been prepared by magnetron sputtering of a composite target and were irradiated by single nanosecond (70 ns) ruby laser pulses in order to study the dynamics reflectivity R of the laser-irradiated zone at the wave-lengths λ 1 = 0.53 and λ 2 = 1.06 μm of probing radiation and morphology of the irradiated zones. It is observed a R increase at λ 1 with simultaneous decrease at λ 2 with the intencification of this effect as far as the irradiation energy density W grows in the range at 0.6 to 0.9 J/cm 2 an limited by the upper level at ~ 1 J/cm 2 for the laser nitride ablation threshold. Laser- initiated thermal stresses in the modified TiAlN layer evoke the formation of cracks net inside it/ It is formed a more extended cell/net structure of the film with smaller average size of cells at the W increase.
Appears in Collections:2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
60-63.pdf1,28 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.