Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/23419
Title: Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического р-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессов
Other Titles: Cadmium cathodic deposition on polycrystalline р-Se: comparison of dark and photoelectrochemical processes
Authors: Рабчинский, С. М.
Рагойша, Г. А.
Стрельцов, Е. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия
Issue Date: 2010
Publisher: Минск: БГУ
Citation: Свиридовские чтения: Сб. ст. Вып. 6.
Abstract: Катодное осаждение кадмия протекает на поликристаллическом р-Se с небольшим перенапряжением (десятки милливольт) при E < E(Cd2+/Cd). Дофазовое осаждение кадмия (в виде атомного слоя Cdad) происходит только при освещении электрода при потенциалах, превышающих равновесный потенциал системы Cd2+/Cd на 700 мВ. Этот поверхностно-лимитированный процесс характеризуется сильно затухающей скоростью катодной реакции при постоянном потенциале электрода. Параллельно с фотоэлектрохимическим формированием Cdad происходит и осаждение наночастиц CdSe на поверхность селена. На основе анализа циклических вольтамперограмм и потенциодинамических спектров импеданса установлены интервалы потенциалов анодного окисления фазы кадмия, адатомного слоя кадмия и частиц CdSe.
Description: Cathodic deposition of cadmium on polycrystalline р-Se proceeds at low overpotential few tens of millivolt below E(Cd2+/Cd). Cadmium atomic layer Cdad is cathodically deposited only on the illuminated electrode at 700 mV above E(Cd2+/Cd). The surface limited cathodic reaction decays fast at a constant potential. CdSe nanoparticles are deposited on Se surface simultaneously with Cdad photoelectrochemical formation. Potential ranges of Cd, Cdad and CdSe anodic oxidation on selenium have been determined by analysis of cyclic voltammograms and potentiodynamic electrochemical impedance spectra.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/23419
Appears in Collections:Статьи химического факультета



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.