Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/236652
Title: Электрохимическое осаждение атомных слоев металлов на полупроводниковые халькогениды : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. В. Малащенок
Authors: Малащенок, Н. В.
Анискевич, Е. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Металлургия
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность
Issue Date: 2019
Publisher: Минск : БГУ
Abstract: Объектом исследования являлись электроды на основе нанокристаллических пленок CdSe, PbSe, PbS, CdS, полученные химическим, электрохимическим и электрофоретическим осаждением, а также процессы электрохимического восстановления ионов металлов, протекающие на их поверхности. Цель работы: выяснение механизма и кинетических особенностей электрохимического катодного осаждения атомных слоев (underpotential deposition - UPD) металлов (Pb, Cd и др.) на поверхность полупроводниковых халькогенидов, используемых в качестве фотоэлектродов в солнечных элементах, термоэлектриков и фотокатализаторов. Использование процесса UPD кадмия на квантовые точки (КТ) CdSe позволило четко выявить размерную зависимость величины недонапряжения – ее уменьшение с уменьшением размера частиц. Комплексом электрохимических и оптических методов показано, что данный эффект связан с размернозависимым положением низшей свободной молекулярной орбитали КТ CdSe. Скорость зарядового транспорта в пленках, образованных КТ CdSe, резко возрастает при замене оболочки олеатных лигандов на оболочку из сульфидных лигандов. В результате созданы методы получения тонких нанокристаллических пленок CdS, CdSe, PbS, PbSe с варьируемым размером кристаллитов (в интервале единиц–десятков нанометров). Размер кристаллитов контролировался температурой осаждения пленки или температурой прогрева в инертной (Ar) атмосфере. Методом электрофоретического осаждения получены пленки, образованные КТ CdSe, с высокой степенью монодисперсности (средний диаметр КТ равен 2,4 нм, 2,8 нм, 3,5 нм, 4,5 нм, 6,3 нм); с использованием спектроскопии фототока показано, что в пленочных электродах данного типа CdSe наблюдается переключение знака фототока, причем потенциал переключения зависит от размера КТ. Процесс электрохимического осаждения атомных слоев свинца на наноструктурированный PbSe успешно использован для определения электрокаталитически активной поверхности полупроводника, полученного при разных условиях электроосаждения. Разработанный подход представляет интерес для определения реальной поверхности полупроводниковых материалов на основе халькогенидов металлов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/236652
Registration number: № госрегистрации 20171092
Appears in Collections:Отчеты 2019

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Отчет 20171092 Малащенок.docx6,29 MBMicrosoft Word XMLView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.