Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/24088
Title: Осаждение из растворов многослойных пленок металлов на кремний
Other Titles: Multilayer metal film plating on silicon
Authors: Воробьева, Т. Н.
Кобец, А. В.
Рева, О. В.
Врублевская, О. Н.
Issue Date: 2011
Publisher: Минск: БГУ
Citation: Свиридовские чтения: Сб. ст. Вып. 7.
Abstract: Разработан метод осаждения из растворов многослойных пленок металлов и сплавов толщиной до 5―9 мкм на поверхность полированных пластин кремния. Показана необходимость создания и сохранения на всех стадиях обработки пластин функциональных силанольных групп, отвечающих за адгезионное взаимодействие в системе «кремний―металл». Подобран гипофосфитный раствор химического осаждения на поверхность полированного кремния тонкой плотной пленки Ni―P с размерами зерен ~0,1 мкм, имеющий рН 6.2, включающий добавку, снижающую внутренние напряжения, и обеспечивающий адгезию к подложке, достаточную для последующего осаждения из растворов пленок Ni, Pd, Pd―Ni, Au, Cu―Sn. Установлено, что при осаждении пленок металлов, их хранении и прогреве (280 оС) происходит формирование переходных зон, содержащих атомы элементов, входящих в состав как подложки (кремния), так и образующихся пленок. Толщина таких зон составляет от 1 до 3 мкм.
Description: Method of multilayer metal and alloy plating on the surface of polished silicon plates with the film thickness up to 5―9 μm has been developed. The necessity to create functional silanol groups and to preserve them at all stages of silicon treatment has been shown on purpose to pro-vide adhesion interaction in the silicon―metal system. Hypophosphite plating solution with pH 6.2 and an additive diminishing internal stress that provides deposition of Ni―P thin films with the grain size ~0,1 μm and high adhesion to the polished silicon has been suggested. This adhe-sion is enough to ensure the following Ni, Pd, Pd―Ni, Au, Cu―Sn plating. It has been found out that during metal film growth, their storage and thermal treatment (280 оС) the formation of transitive zones occurs which contain atoms of the elements from the silicon substrate and from the deposited films. The thickness of these zones is about 1―3 μm.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/24088
Appears in Collections:Статьи химического факультета



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.