Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257278
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorПросолович, В. С.
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:11Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:11Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 97-102.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257278-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractИсследованы температурные зависимости статического коэффициента усиления по току (β) биполярных n-p-n-транзисторов, сформированных по аналогичным технологическим маршрутам (серии А и В), в интервале температур 20–125 °С. Содержание технологических примесей в приборах серии А было ниже предела обнаружения методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения (по Fe < 4.0·10 9 ат/см2). В приборах серии В вся поверхность пластин была покрыта слоем Fe со средней концентрацией 3.4·10 11 ат/см2, наблюдались также пятна Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn. Установлено, что в приборах обеих серий при среднем уровне тока коллектора (1.0·10-6 < Ic < 1.0·10-3 A), величина β и его температурная зависимость определяются эффективностью эмиттера и температурным изменением ширины запрещенной зоны кремния. При низком уровне инжекции (Ic < 1.0·10-6 A) на величину β и его температурную зависимость для приборов серии В существенное влияние оказывает высокая концентрация технологических примесей. Для приборов серии А при Ic < 10-6 A температурная зависимость β практически не отличается от аналогичной зависимости для среднего уровня инжекции
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора
dc.title.alternativeInfluence of the band gap on the temperature dependence of the gain coefficient of a bipolar n-p-n-transistor / V. B. Odzaev, A. N. Pyatlitski, V. A. Pilipenko, V. S. Prosolovich, V. A. Filipenia, D. V. Shestovski, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe temperature dependences of the static current gain (β) of bipolar n-p-n-transistors formed by similar process flow (series A and B) in the temperature range of 20–125° С have been investigated. The content of technological impurities in the A series devices was below the detection limit by the TXRF method (for Fe < 4.0·10 9 at/cm2). In series B devices, the entire surface of the wafers was covered with an Fe layer with an average concentration of 3.4·10 11 at/cm2; Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, and Zn spots were also observed. It was found that in devices of both series, at an average collector current (1.0·10-6 < Ic < 1.0·10-3 A), the value of β and its temperature dependence are determined by the emitter efficiency and the temperature change in the silicon band gap. At a low injection level (Ic < 1.0·10-6 A), the value of β and its temperature dependence for B series devices is significantly influenced by a high concentration of technological impurities. For series A devices at Ic < 10-6 A, the temperature dependence of β practically does not differ from the analogous dependence for the middle injection level
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
97-102.pdf885,25 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.