Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257299
Title: Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурах
Other Titles: Simulation of radiation effects in MOS and bipolar structures / S. A. Miskiewicz, V. N. Yuvchenko, F. F. Komarov, A. F. Komarov, G. M. Zayats
Authors: Мискевич, С. А.
Ювченко, В. Н.
Комаров, Ф. Ф.
Комаров, А. Ф.
Заяц, Г. М.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 184-188.
Abstract: Разработаны физико-математические модели, программное обеспечение и управляющие программы для моделирования радиационных изменений рабочих характеристик биполярных транзисторов (БТ) и структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Проведено моделирование при облучении МДП гамма-квантами 60Co 1,2 МэВ дозами до 1,1·10 7 рад и БТ гамма-квантами, нейтронами и электронами. Получены зависимости порогового напряжения МДП структур, коэффициента усиления БТ от дозы облучения
Abstract (in another language): The software including the models and interface programs for simulation of radiation changes in the characteristics of MOS and bipolar junction transistors (BJT) was developed. Simulation of 1.2 MeV gamma-quants, neutron and electron impact on MOS and BJT was performed to the doses 1.1×10 7 Rad. The dependences of the MOS threshold voltage and the BJT current gain on the dose were calculated
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257299
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
184-188.pdf1,46 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.