Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/270549
Title: | Влияние дефектов на механизмы электронного и фононного транспорта в структурах металл - графен : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. К. Федотов |
Authors: | Федотов, А. К. Тиванов, М. С. Свито, И. А. Колесов, Е. А. Королик, О. В. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Металлургия |
Issue Date: | 2020 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Abstract: | Объекты исследования – слои графена, полученные разными методами на различных диэлектрических подложках. Цель работы – установление влияния способа выращивания и типа подложки на механизмы транспорта электронов и фононов в графене. Методы исследования: структурная и электрофизическая характеризация, моделирование электронных и фононных свойств. В результате выявлено, что при T < 250 К все образцы графена относятся к полупроводниковому типу. В однослойном CVD-графене при температурах ниже 25–50 К в магнитных полях до 1–2 Тл вследствие квантовой интерференции в условиях слабой локализации магнитосопротивление отрицательное. Сопротивление твистированного графена в диапазоне 2–25 К описываются как теорией двумерных квантовых поправок к проводимости Друде, так и теорией моттовской 2D прыжковой проводимости. Слабые локализационные поправки обусловлены рассеянием на низкоэнергетических фононах, междолинным рассеянием, нарушением хиральности и короблением графена вследствие тепловых флуктуаций. Рассчитана концентрация дырок (3,9×1013 см-2), необходимая для подавления легирования графена из атмосферы носителями того же знака. Концентрация электронов, необходимая для компенсации адсорбционного легирования в условиях воздушной среды, оценена как 4,6 ×1012 см-2. При понижении давления от 1×103 до 5×10-5 мбар неоднородность распределения носителей уменьшается в нелегированном графене и увеличивается в графене p-типа. Это обусловлено пространственной селективностью легирования атмосферными адсорбатами, которая состоит в их адсорбции в областях пониженной концентрации дырок. |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/270549 |
Registration number: | Рег. № НИР 20190867 |
Appears in Collections: | Отчеты 2020 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20190867 Федотов.pdf | 2,86 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.