Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/270549
Title: Влияние дефектов на механизмы электронного и фононного транспорта в структурах металл - графен : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. К. Федотов
Authors: Федотов, А. К.
Тиванов, М. С.
Свито, И. А.
Колесов, Е. А.
Королик, О. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Металлургия
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Abstract: Объекты исследования – слои графена, полученные разными методами на различных диэлектрических подложках. Цель работы – установление влияния способа выращивания и типа подложки на механизмы транспорта электронов и фононов в графене. Методы исследования: структурная и электрофизическая характеризация, моделирование электронных и фононных свойств. В результате выявлено, что при T < 250 К все образцы графена относятся к полупроводниковому типу. В однослойном CVD-графене при температурах ниже 25–50 К в магнитных полях до 1–2 Тл вследствие квантовой интерференции в условиях слабой локализации магнитосопротивление отрицательное. Сопротивление твистированного графена в диапазоне 2–25 К описываются как теорией двумерных квантовых поправок к проводимости Друде, так и теорией моттовской 2D прыжковой проводимости. Слабые локализационные поправки обусловлены рассеянием на низкоэнергетических фононах, междолинным рассеянием, нарушением хиральности и короблением графена вследствие тепловых флуктуаций. Рассчитана концентрация дырок (3,9×1013 см-2), необходимая для подавления легирования графена из атмосферы носителями того же знака. Концентрация электронов, необходимая для компенсации адсорбционного легирования в условиях воздушной среды, оценена как 4,6 ×1012 см-2. При понижении давления от 1×103 до 5×10-5 мбар неоднородность распределения носителей уменьшается в нелегированном графене и увеличивается в графене p-типа. Это обусловлено пространственной селективностью легирования атмосферными адсорбатами, которая состоит в их адсорбции в областях пониженной концентрации дырок.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/270549
Registration number: Рег. № НИР 20190867
Appears in Collections:Отчеты 2020

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Отчет 20190867 Федотов.pdf2,86 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.