Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271088
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.contributor.authorПросолович, В. С.
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.
dc.date.accessioned2021-10-28T08:18:54Z-
dc.date.available2021-10-28T08:18:54Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 196-200.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271088-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractИсследовались силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой, полученные на основе метода двойной диффузии (DMOSFET). С целью установления влияния азотирования диэлектрика на электрофизические параметры силовых МОП транзисторов дополнительно технологический процесс изготовления приборов включал в себя операцию ионной имплантации азота в активную область структуры прибора через защитный окисел толщиной 20 нм энергиями 20 кэВ, 40 кэВ и 60 кэВ в диапазоне доз 1·10 13 –3·10 15 см-2 . Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы формирования прибора без дополнительного внедрения азота. Установлено, что при трехстадийном процессе имплантации ионов азота и быстрых термических обработок при суммарной дозе 2.5·10 14 см-2 в диапазоне напряжений от -2 В до -10 В происходит снижение токов утечки сток-исток ДМОП-транзисторов, обусловленное отжигом генерационных центров в p-области кармана. Основной вклад в токи утечки вносит генерационный ток в области пространственного заряда обратносмещенного p-n - -перехода ДМОП-транзистора вследствие большой площади металлургической границы базы p-типа и подложки n - -типа данного перехода. Проведение дополнительной имплантации ионов азота в диапазоне доз 1·10 13 – 2.5·10 14 см-2 позволяет снизить величину тока сток-исток ДМОП-транзисторов в подпороговой области как при одностадийном, так и при трехстадийном процессах имплантации и отжига. Данный эффект усиливается при снижении напряжения на затворе вследствие увеличения вклада диффузионного тока МОП-транзистора
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторов
dc.title.alternativeInfluence of nitrogen ion implantation on the value of drain-source currents of power MOS-transistors / Vladimir Odzhaev, Alexander Pyatlitski, Vladislav Prasalovich, Natallia Kovalchuk, Yaroslav Soloviev, Victor Filipenia, Dmitriy Shestovski, Yuri Yankouski
dc.typeconference paper
dc.description.alternativePower MOS transistors with a vertical structure, obtained on the basis of the double diffusion method (DMOSFET), have been investigated. In order to establish the effect of dielectric nitriding on the electrophysical parameters of power MOS transistors, the technological process of manufacturing devices additionally included the operation of nitrogen ion implantation into active region of the device structure through a protective oxide with thickness 20 nm with energies of 20 keV, 40 keV and 60 keV in dose range 1·10 13 – 3·10 15 cm-2. In parallel, control samples were studied that had passed all the stages of the device formation without additional implantation of nitrogen. It was found that during a three-stage process of implantation of nitrogen ions and rapid thermal treatments with a total dose of nitrogen ions of 2.5·10 14 cm-2 in the voltage range from -2 V to -10 V, a decreasing of drain-source leakage currents of DMOS transistors occurs, due to annealing of the generation centers in the p-area of the pocket. The main contribution to the leakage currents is made by the generation current in the space charge region of the reverse-biased p-n - junction of the DMOS transistor due to the large area of the metallurgical boundary of the p-type base and the n- -type substrate of this junction. Additional implantation of nitrogen ions in the dose range of 1·10 13 – 2.5·10 14 cm-2 also makes it possible to reduce the drain-source current of DMOS transistors in the subthreshold region both in one-stage and three-stage processes of implantation and annealing. This effect is enhanced with decreasing gate voltage due to an increase in the contribution of the diffusion current of the MOSFET
Appears in Collections:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
196-200.pdf424,43 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.