Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273520
Title: Математическое моделирование распределения напряжений в облученном ионами высоких энергий алмазе
Authors: Хорунжий, И. А.
Мартинович, В. А.
Русецкий, М. С.
Казючиц, В. Н.
Казючиц, Н. М.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика
Issue Date: 2021
Publisher: Издательско-полиграфический центр Политехнического университета. Санкт-Петербург
Citation: Математические методы в технологиях и технике, 2021, № 12, 22–25.
Abstract: Получено распределение напряжений в синтетическом алмазе, облученном ионами Хе с энергией 167 МэВ флюенсом 3.55·10^14 см^-2, методом компьютерного моделирования. Показано, что расширение решетки в облученном слое приводит к изгибу алмазной пластины, а необлученная часть находится под действием сжимающих напряжений, которые распределены неравномерно. Наблюдается хорошее соответствие между расчетными и экспериментальными данными, полученными методами комбинационного рассеяния света и конфокальной микроскопии.
Abstract (in another language): The stress distribution in synthetic diamond irradiated with 167 MeV Xe ions to the fluence of 3.55·10^14 cm^-2 has been obtained by numerical simulation. It is shown that the lattice expansion in irradiated layer leads to bending of the diamond plate, and the unirradiated part is under nonuniformly distributed compression stresses. There is a good correlation between the calculated and experimental data obtained by Raman scattering and confocal microscopy methods.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273520
ISSN: 2712-8873
DOI: 10.52348/2712-8873_MMTT_2021_12_22
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.