Перенос носителей заряда в квантово- каскадных гетероструктурах с участием локализованных донорных состояний

Abstract

В работе разработана двухмерная модель расчета энергий и волновых функций заряженных примесей квантово-каскадных лазерных гетероструктур ТГц диапазона. Рассчитана плотность состояний примесной подзоны в квантовых ямах с учетом случайного распределения примесей. Предложена модель нахождения форм-фактора спектрального уширения для переходов с участием локализованных примесных состояний. Показано, что учет переноса по примесным состояниям приводит к сглаживанию первого резонансного пика вольт-амперной характеристики, связанного с туннелированием электронов с уровня инжектора на нижний лазерный уровень.