Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/29805
Title: Моделирование технологических процессов субмикронной электроники для систем проектирования интегральных схем
Authors: Комаров, Ф. Ф.
Комаров, А. Ф.
Миронов, А. М.
Заяц, Г. М.
Макаревич, Ю. В.
Мискевич, С. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: Sep-2011
Publisher: БГУ
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2011. - № 3. – С. 26-32.
Abstract: Software for the simulation of low-energy implantation of dopant atoms in silicon structures and postimplantation rapid thermal annealing (RTA) of these structures have been developed. Software is integrated into the ATHENA simulation system, developed by Silvaco Inc., which made possible usage of our simulation results in the pass-through simulation of microelectronics technologies and devices, in particular, to simulate the electrical characteristics of submicron MOSFETs. = Разработан программный комплекс для моделирования процессов низкоэнергетической имплантации легирующих примесей в кремниевые структуры и постимплантационного быстрого термического отжига (БТО) этих структур. Программное обеспечение интегрировано в среду программного комплекса ATHENA, разработанного Silvaco Inc., что позволяет использовать результаты наших расчетов в системе сквозного моделирования технологий и приборов микроэлектроники, в частности, для определения электрофизических свойств субмикронных МОП-транзисторов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/29805
ISSN: 0321-0367
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2011, №3 (сентябрь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
26-32.pdf689,94 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.