Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302377
Title: Расчёт изменения электрических характеристик биполярного транзистора при облучении быстрыми электронами
Authors: Мискевич, С. А.
Комаров, А. Ф.
Комаров, Ф. Ф.
Ювченко, В. Н.
Ермолаев, А. П.
Богатырёв, Ю. В.
Заяц, Г. М.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2023
Citation: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 348-350.
Abstract: В работе рассматривается физико-математическая модель радиационного изменения времени жизни неравновесных носителей заряда в кремнии при воздействии потока электронов с энергией 4 МэВ. Предложен метод расчёта радиационного коэффициента изменения времени жизни неравновесных дырок. Проведен расчёт электрических характеристик p-n-p биполярного транзистора
Description: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302377
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit: №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023
Appears in Collections:2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
348-350.pdf385,99 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.