Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/311177
Title: Гистерезис вольт-амперной характеристики лазерной квантоворазмерной гетероструктуры с обогащенным электронами слоем
Authors: Афоненко, А. А.
Ушаков, Д. В.
Дубинов, А. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2024
Citation: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — С. 587-588
Abstract: Проведено моделирование межподзонного однокаскадного лазера ТГц диапазона с плазмонным волноводом на основе обогащенного электронами слоя на гетеропереходе GaAs/AlGaAs. На основе самосогласованных расчетов электронных состояний с учетом влияния пространственного распределения заряда на профиль зоны проводимости показано, что вольт-амперная характеристика лазера имеет гистерезисный вид. Генерация плазмонной моды возникает преимущественно на нижнем участке гистерезиса.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/311177
Sponsorship: Работа выполнена при поддержке РНФ, грант № 23-19-00436.
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи
Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
587-588.pdf489,44 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.