Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/324752
Title: MECHANISM BEHIND STRUCTURAL CHANGES ACCOMPANING THE SOLID-STATE POLYMERIZATION IN THE MOLYBDENUM-VANADIUM MIXED OXIDE FILMS
Other Titles: МЕХАНИЗМ ИЗМЕНЕНИЯ НАНОСТРУКТУРЫ ПЛЕНОК СМЕШАННЫХ ОКСИДОВ МОЛИБДЕНА-ВАНАДИЯ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОЙ ФОТОПОЛИМЕРИЗАЦИИ
Authors: Sviridova, T.V.
Yakubovskaya, Z.A.
Odzhaev, V.B.
Sviridov, D.V.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2023
Publisher: TVER STATE UNIV
Citation: Physical and Chemical Aspects of the Study of Clusters Nanostructures and Nanomaterials. 2023 Nov 29;(15).
Abstract: In this paper we investigate the changes in the surface topology of inorganic polymerderived films resulted from photostimulated polymerization. With the use of the atomic-force microscopy, the surface structure changes of mixed molybdenum-vanadium oxide thin films (V2O5:MoO3 = 3:2) resulted from the UV light-induced polymerization was investigated. The analysis of atomic-force images evidenced that the solid-state polymerization in the mixed oxide films obtained by condensation of corresponding oxoacids occurs through 3D mechanism. As the result of exposure, MoO3/V2O5 films lose the intrinsic anisotropy which is due to the directional agglomeration of belt-like mixed oxide oligomers. The photopolymerization processes in the mixed oxide film yield agglomerates of nuclei built from the faceted nanometer-sized pseudocrystallites. The exposure is also accompanied with solid-state recrystallization of initially amorphous oxide resulting in the rougher relief of the exposed film. The selective acidic etching uncovers the latent structure of the film, this etching being accompanied with pseudocrystallite dispergation that results in the smoothing of the microrelief of the oxide film surface. These structural features of photosensitive mixed oxide MoO3/V2O5 films facilitate their application as the inorganic photoresists.
Abstract (in another language): В работе приведены результаты изучения характера изменения топологии поверхности в результате фотостимулированной полимеризации фоторезистных слоев на основе высших оксидов – неорганических полимеров. С использованием атомносиловой микроскопии выполнено исследование изменения наноструктуры поверхности тонких пленок смешанных оксидов молибдена-ванадия (V2O5:MoO3 = 3:2) в процессе УФ-стимулированной полимеризации. Фрактальный анализ атомно-силовых изображений позволил установить, что твердофазная полимеризация в смешаннооксидных слоях, полученных путем конденсации соответствующих оксокислот, протекает с участием смешанных оксоолигомеров по 3D-механизму. При этом теряется анизотропия, характерная для исходной пленки и обусловленная направленной агломерацией лентообразных смешанных оксоолигомеров, входящих в ее состав. Развивающиеся в смешаннооксидном слое полимеризационные процессы приводят к образованию агломератов зерен, состоящих из четко огранённых псевдокристаллитов нанометрового размера. Одновременно в процессе экспонирования происходит твердофазная рекристаллизации аморфизированной оксидной пленки, результатом чего является увеличение значения среднего отклонения профиля поверхности. В процессе избирательного кислотного травления происходит обнажение скрытой внутренней структуры фоточувствительного оксидного слоя и дробление псевдокристаллитов, что приводит к снижению шероховатости поверхности до исходной величины. Указанные особенности структуры фоточувствительных смешаннооксидных пленок MoO3/V2O5 имеют принципиальное значение для создания неорганических фоторезистов.
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/324752
DOI: 10.26456/pcascnn/2023.15.1029
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fh2023-doi-10-26456-pcascnn-2023-15-1029.pdf2,23 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.