Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48785
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЗайков, В. А.-
dc.contributor.authorГайдук, П. И.-
dc.contributor.authorКарпович, В. Б.-
dc.contributor.authorНаливайко, О. Ю.-
dc.date.accessioned2013-10-10T15:20:27Z-
dc.date.available2013-10-10T15:20:27Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 18-21.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-885-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/48785-
dc.description.abstractВ данной работе, с целью разработки фотоприемников ближнего ИК диапазона, рассматривается получение слоев поли-Ge на Si-подложках и исследуются их оптические свойства.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ПОЛИ-Ge НА КРЕМНИИ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:2010. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
В.А. Зайков, П.И. Гайдук, В.Б. Карпович.pdf248,91 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.