Logo BSU

Browsing "Материалы конференций физического факультета" by Issue Date

Jump to a point in the index:
Showing results 1 to 20 of 3428  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
1999Электронный парамагнитный резонанс дислокаций в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионамиВариченко, В. С.; Дроздов, Н. А.; Лапчук, Н. М.; Шуйская, Е. Н.
1999Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 КЛастовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
1999Влияние ростовых микродефектов на рекомбинацию носителей заряда в облученном бездислокационном кремнииЛугаков, П. Ф.; Казакевич, Л. А.
1999Dark i-v characteristics of hydrogenated microcrystalline CdS filmsFedotov, A.; Manego, S.; Mazanik, A.; SurviIo, L.; Tarasik, M.; Trofimov, Yu.; Uiyashin, A.; Yanchenko, A.
1999Процессы атомного перемешивания и распыления при облучении структур Al-Cu ионами Ar , Kr , XeТульев, В. В.; Ташлыков, И. С.
1999Long-range effect and self-organization processes induced by low-energy ion irradiation in solidsTereshko, I. V.; Khodyrev, V. I.; GIushchenko, V. V.; Konchalenko, V. N.; Tereshko, A. M.; Vinogradov, D. L.
1999Структура и электрические свойства пленок TiB2, полученных методом магнетронного распыленияДраненко, А. С.; Дворина, Л. А.
1999Изменение типа фазового перехода в (CH3)2NH2AI(S04)2-6H20 под влиянием у-облученияШелег, А. У.; Декола, Т. И.; Теханович, Н. П.
1999Генерация электрон-дырочных пар в алмазе при облучении электронамиШаршунов, Д. В.
1999Влияние дефектов, созданных обработкой в водородной плазме и у-облучением СO60, на электрические свойства нелегированного n-GaAsКурилович, Н. Ф.; Прохоренко, Т. А.; Шешолко, В. К.; Бумай, Ю. А.; Ульяшин, А. Г.
1999Контроллер управления расходами газов в технологических процессах ионно-плазменного и ионно-лучевого осаждения многослойных покрытийБурмаков, А. П.; Игнатенко, И. И.; Коротков, К. Б.; Чёрный, В. Е.
1999Defects in Cu(lnGa)Se2/CdS heterostructure films induced by hydrogen ion implantationYakushev, M. V.; Tomlinson, R. D.; Hill, А. E.; Pilkington, R. D.; Mudryi, A. V.; Bodnar, I. V.; Victorov, L. A.; Gremenok, V. F.; Shakin, L. A.; Patuk, A. I.
1999Применение метода Монте-Карло для моделирования деградации характеристик GaAs при радиационном воздействииДемарина, Н. В.; Оболенский, С. В.
1999Плазменные волны в двумерных твердотельных сверхструктурахКрючков, С. В.; Глазов, С. Ю.
1999Formation of buried high-resitant layers in silicon by two-step substoichiometric implantation of nitrogen IONSKamyshan, A. S.; Solov’yev, V. S.; Rusetsky, A. M.
1999Радиационное дефектообразование в детекторном кремнии, облученном быстрыми нейтронамиКамышан, А. С.; Литвинов, В. В.; Парахневич, Е. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Шварков, Д. С.
1999Atomic hydrogen effects on high-Tc superconductersFrantskevich, N. V.; UIyashin, A. G.; Fedotova, V. V.; Alifanov, A. V.; Stepanenko, A. V.; Zhuravkevich, E. V.
1999Study of instability o f a plasm a channel interface under electrical pulse discharge in liquidPorytsky, P. V.; Kononov, A. V.; Starchyk, P. D.; Voitenko, L. M.
1999Зарождение кристаллов меди в поле рентгеновского излучения при электрокристаллизацииВойна, В. В.; Колодинский, А. М.; Сенько, А. Ф.
1999Условия аддитивности отклика при воздействии низких ионных доз на полупроводниковые структурыКиселев, В. И.; Гурский, Л. И.