Logo BSU

Search


Current filters:
Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-10 of 35 (Search time: 0.0 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2016Радиационные экраны для полупроводниковых приборов на основе композита системы W-Cu и эффективность их защиты от электронного излученияЧушкова, Д. И.; Грабчиков, С. С.; Ластовский, С. Б.; Труханов, А. В.
1999Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 КЛастовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
2007Использование численного моделирования для интерпретации данных емкостной спектроскопии кремниевых структур, облученных нейтронамиМакаренко, Л. Ф.; Замятин, Н. И.; Ластовский, С. Б.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2012ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕЛастовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2012ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОММакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.